Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23 Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 335пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2372DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4 А, 1.7 Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

SI2374DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2377EDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 61 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2393DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5А Тип транзистора: P-канальный

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3410DV-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 1.8A (Ta) Сопротивление открытого канала: 170 mOhm @ 2.4A, 10V Мощность макс.: 1.14W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2V @ 250 µA (Min) Заряд затвора: 6.6nC @ 10V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3442BDV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт Производитель: Vishay Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 9нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.97A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12.4нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.97A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12.4нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443DDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3456DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении