Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (876)

SI2323CDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 536 шт

Цена от:

от 4,06₽

SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 234 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2328DS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2328DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 500пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2356DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40V Ток стока макс.: 4.3A (Tc) Сопротивление открытого канала: 51 mOhm @ 3.2A, 10V Мощность макс.: 1.7W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5V @ 250 µA Заряд затвора: 13nC @ 10V Входная емкость: 370pF @ 20V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2365EDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении