- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
Акция
SI2305CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 8В
Ток стока макс.: 5.8A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2306BDS-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.16A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4.5нКл
Входная емкость: 305пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2306BDS-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.16A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4.5нКл
Входная емкость: 305пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2307BDS-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 30В 2.5А 1.25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2307CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 6.2нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2308BDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 156 мОм
Мощность макс.: 1.66Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 6.8нКл
Входная емкость: 190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2308BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 156 мОм
Мощность макс.: 1.66Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 6.8нКл
Входная емкость: 190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2309CDS-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 345 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4.1нКл
Входная емкость: 210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 736 шт
Цена от:
от 3,19₽
SI2309CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 345 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4.1нКл
Входная емкость: 210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 736 шт
Цена от:
от 3,19₽
SI2309DS-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.25 А, 1.25 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
SI2309DS-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.25 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.25А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
SI2312BDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ
Заряд затвора: 12нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI2312BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ
Заряд затвора: 12нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI2312CDS-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 31.8 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 865пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2315BDS-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 12В 3A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 715пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2316BDS-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 1.66Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 9.6нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
SI2318CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 42 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2318DS-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2319CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2319DS-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 470пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара