Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
Акция SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2306BDS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2306BDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2307BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.5А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2307CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 736 шт
Цена от:
от 3,19
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 736 шт
Цена от:
от 3,19
SI2309DS-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.25 А, 1.25 Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3
SI2309DS-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.25 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.25А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 31.8 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 865пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 715пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2316BDS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: