- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SI1317DL-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 500мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 6.5нКл
Входная емкость: 272пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1403BDL-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 568мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В
Заряд затвора: 4.5нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1416EDH-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 58 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 12нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1427EDH-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 64 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 21нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1441EDH-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 33нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1442DH-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 12В 4A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 1010пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1443EDH-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 54 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 28нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1480DH-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 5нКл
Входная емкость: 130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1902DL-T1-E3
Транзистор полевой 2N-канальный 20В 660мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 0.66A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SI2300DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 68 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 320пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2301BDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 375пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21₽
SI2301CDS-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 112 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 405пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21₽
Акция
SI2301CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 112 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 405пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21₽
Акция
SI2302CDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3L
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 57 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ
Заряд затвора: 5.5нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
SI2302CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 57 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ
Заряд затвора: 5.5нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI2302DDS-T1-GE3
Полевой транзистор N-канальный 20В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.6A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SI2303CDS-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 8нКл
Входная емкость: 155пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2304BDS-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4нКл
Входная емкость: 225пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2304BDS-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 4нКл
Входная емкость: 225пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2304DDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 6.7нКл
Входная емкость: 235пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара