Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 568мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 4.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1416EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1427EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1441EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 12В 4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1443EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 28нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1480DH-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1902DL-T1-E3 Транзистор полевой 2N-канальный 20В 660мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.66A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 375пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21
SI2301CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 112 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21
Акция SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 112 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 376 шт
Цена от:
от 1,21
Акция SI2302CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3L Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 5.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 5.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2302DDS-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2304BDS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2304BDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: