- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRLU024PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRLU120
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А, 42 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Акция
IRLZ14PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLZ14SPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 10A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ24PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 17A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLZ34PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
IRLZ44PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44SPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1012CR-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 630мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75A
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 630мА
Сопротивление открытого канала: 396 мОм
Мощность макс.: 240мВт
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 2нКл
Входная емкость: 43пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1012R-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.5A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 150мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 0.75нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1012X-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 500мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-89
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 250мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 0.75нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1013R-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 350мА
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 150мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ
Заряд затвора: 1.5нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1021R-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 190мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 250мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 1.7нКл
Входная емкость: 23пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1022R-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 330мА
Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом
Мощность макс.: 250мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 0.6нКл
Входная емкость: 30пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1031R-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 140 мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 140мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 250мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 1.5нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1032R-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 140мА
Производитель: Vishay
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 140мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 250мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 0.75нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI1062X-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В
Производитель: Vishay
Корпус: SC-89
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Сопротивление открытого канала: 420 мОм
Мощность макс.: 220мВт
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 2.7нКл
Входная емкость: 43пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI1302DL-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 600 мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 280мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 1.4нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
SI1308EDL-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 132 мОм
Мощность макс.: 500мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 4.1нКл
Входная емкость: 105пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара