- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRLD014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRLD024PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLD110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRLD120PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Производитель: Vishay
Корпус: HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.3A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRLI530GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 930пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI540G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI640GPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.9A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLIZ14GPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLL014TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRLR014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR014TRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR014TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR024TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRLR110TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR120PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRLU014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара