- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRFZ44SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRFZ44STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ48PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
IRFZ48RPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRL510PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL520PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.2 А,
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL530PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 930пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRL540PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL540SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 28 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL620PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL620SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL620STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL630PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL630SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL630STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL630STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL640PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL640SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL640STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL640STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 17A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара