- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRF610PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
IRF610SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF610STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF614SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Акция
IRF620PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF620SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF624SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 4.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
IRF630PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF630SPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF634PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 8.1A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 770пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF634STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 8.1A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF640SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF644PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF644STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF710PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара