Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRF610PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W Производитель: Vishay Корпус: TO-220
IRF610SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF610STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF614SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.7 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF624SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 4.4 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF634STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF644PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF644STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: