- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRFIBC30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.5A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFIBC40GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBC40GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE20GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 530пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFIBE30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFIBF20GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.2A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBF20GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.2A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFIBF30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBF30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ14GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ24GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ34GPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ44GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ48GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 37A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFL014PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL014PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFL014TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL014TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL210PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.96 А, 2.0 Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Акция
![]()
IRFL210TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223 (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 960мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL210TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223 (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 960мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 790мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 790мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214TRPBF-BE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 790мА
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара