- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRFI620GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI630GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI640GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.8A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI644GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 7.9A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI720GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 410пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GLCPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.7A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1370пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI820GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI830GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI840GLCPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI840GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.6А 40Вт, 0.85 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.6A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI9520GPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI9530GPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI9540GPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI9630GPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFI9634GPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI9Z34GPBF
Транзистор полевой P-канальный 60В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIB5N65APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 5.1A
Сопротивление открытого канала: 930 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1417пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIB6N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRFIB7N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6.6A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1423пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара