Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI630GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI644GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI720GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GLCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI820GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI830GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI840GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.6А 40Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9520GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIB7N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: