Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (880)
2N7002-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
702 362 шт
Цена от:
от 0,68
2N7002-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
702 362 шт
Цена от:
от 0,68
2N7002E-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция 2N7002E-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 250mА, 10В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 0.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 21пФ @ 5В Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
3N163 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 мА Производитель: Vishay Корпус: TO-72 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50мА Сопротивление открытого канала: 250 Ом Мощность макс.: 375мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 3.5пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF510SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.6 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF530STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF530STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
На странице: