- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (878)
2N7002-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА
Производитель: Vishay
Корпус: TO-236
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 200мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
399 991 шт
Цена от:
от 0,67₽
2N7002-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
399 991 шт
Цена от:
от 0,67₽
2N7002E-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 0.6нКл
Входная емкость: 21пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
2N7002E-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 250mА, 10В
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 0.6нКл @ 4.5В
Входная емкость: 21пФ @ 5В
Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 0.6нКл
Входная емкость: 30пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 0.6нКл
Входная емкость: 30пФ
Тип монтажа: Surface Mount
3N163
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 мА
Производитель: Vishay
Корпус: TO-72
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 50мА
Сопротивление открытого канала: 250 Ом
Мощность макс.: 375мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Входная емкость: 3.5пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF510PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF510SPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF520PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF530PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
IRF530SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF530STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF530STRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRF540PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF540SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF540STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF610PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.3A
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара