Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD19536KCS Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В Заряд затвора: 153нКл Входная емкость: 12000пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD22205L Транзистор полевой P-канальный 8В 7.4A 4-Pin PICOSTAR лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 7.4A Тип транзистора: P-канал
CSD23202W10 Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: DSBGA4 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 53 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 512пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
CSD23203WT Полевой транзистор P-канальный 8В 3A 6DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: 6-DSBGA Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 250 µA Заряд затвора: 6.3нКл @ 4.5В Входная емкость: 914пФ @ 4В Тип монтажа: Surface Mount
CSD23280F3T Полевой транзистор P-канальный 12В 1.8A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 1.8A Тип транзистора: P-канал
CSD23285F5 Полевой транзистор P-канальный 12В 5.4A 3-Pin PicoStar Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 5.4A Тип транзистора: P-канал
CSD23381F4 Полевой транзистор P-канальный 12В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 1.14нКл @ 4.5В Входная емкость: 236пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23.9 мОм Мощность макс.: 2.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 4.7нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD25402Q3A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.15В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1790пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD25481F4 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.5A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3
CSD25481F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3
CSD25483F4 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 500mА, 8В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 0.959нКл @ 4.5В Входная емкость: 198пФ @ 10В
CSD25483F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 0.96нКл Входная емкость: 198пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD83325L Транзистор полевой N-канальный 12В 8A Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный
CSD85301Q2 Транзистор полевой N-канальный 20В 5A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: WSON-6 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 5А, 4.5В Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD88537NDT Полевой транзистор, 2N-канальный, 60 В, 15 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
CSD97395Q4MT Драйвер управления затвором High Freq Sync Buck NexFET Pw Stage Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (3.5x4.5) Тип монтажа: Surface Mount
TPS1100D Транзистор полевой P-канальный 15В 1.6A Производитель: Texas Instruments Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 15В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 791мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.45нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице: