- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
98-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD19536KCS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.2В
Заряд затвора:
153нКл
Входная емкость:
12000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
8В
Ток стока макс.:
7.4A
Тип транзистора:
P-канал
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
4-DSBGA (1x1)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
53 мОм @ 500mА, 4.5В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
512пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD23203WT
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 3A 6DSBGA
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
6-DSBGA
Напряжение исток-сток макс.:
8В
Ток стока макс.:
3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В @ 250 µA
Заряд затвора:
6.3нКл @ 4.5В
Входная емкость:
914пФ @ 4В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD23280F3T
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 1.8A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
1.8A
Тип транзистора:
P-канал
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
5.4A
Тип транзистора:
P-канал
CSD23381F4
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 500mА, 4.5В
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
1.14нКл @ 4.5В
Входная емкость:
236пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD25310Q2
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
23.9 мОм
Мощность макс.:
2.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
4.7нКл
Входная емкость:
655пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD25402Q3A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
72A
Сопротивление открытого канала:
8.9 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.15В
Заряд затвора:
9.7нКл
Входная емкость:
1790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD25481F4
Полевой транзистор P-канальный 20В 2.5A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
CSD25481F4T
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.5 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
CSD25483F4
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
205 мОм @ 500mА, 8В
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
0.959нКл @ 4.5В
Входная емкость:
198пФ @ 10В
CSD25483F4T
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
205 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
0.96нКл
Входная емкость:
198пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8А
Тип транзистора:
N-канальный
CSD85301Q2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5A 6-Pin WSON EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
WSON-6 (2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 5А, 4.5В
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD88537NDT
Транзистор полевой 2N-канальный 60В 15A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD97395Q4MT
Драйвер управления затвором High Freq Sync Buck NexFET Pw Stage
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (3.5x4.5)
Тип монтажа:
Surface Mount
TPS1100D
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 15В 1.6A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
15В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
791мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.45нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара