- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
98-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200А
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
1480пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments

Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
7.7 мОм
Мощность макс.:
179Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3870пФ
Тип монтажа:
Through Hole

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
11.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount

Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара