Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

98
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD18535KTTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В, 200А, 300Вт, D2PAK, NexFET™
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200А
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18537NKCS CSD18537NKCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A VSONP-8
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
1480пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18540Q5B CSD18540Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18540Q5B Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
CSD18540Q5BT CSD18540Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18541F5 Полевой транзистор N-канальный 60В 2.2A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
CSD18543Q3A CSD18543Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5A CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 96A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19531KCS CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
7.7 мОм
Мощность макс.:
179Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
11.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19533Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
CSD19534Q5A CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19535KCS CSD19535KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19535KTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19535KTTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: