Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD17506Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17522Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin SON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD17552Q3A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17552Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17559Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.15 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17571Q2 Полевой транзистор N-канальный 30В 22A 6SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 6-SON (2x2)
CSD17577Q3AT Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 2310пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD17579Q3A Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSONP (3x3.15) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 998пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD17585F5 Полевой транзистор N-канальный 30В 5.9A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Тип транзистора: N-канал
CSD18501Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 3840пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2640пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD18504Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1656пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18504Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A 77Вт Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50А Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канальный
CSD18509Q5B Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R Производитель: Texas Instruments
CSD18509Q5BT Полевой транзистор N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 13900пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18531Q5A Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 3840пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3 Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 53нКл @ 10В Входная емкость: 4680пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
CSD18533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2750пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18534Q5AT Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: