- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
98-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD17506Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17552Q3A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17552Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17559Q5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
1.15 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17571Q2
Полевой транзистор N-канальный 30В 22A 6SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
6-SON (2x2)
CSD17577Q3AT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSONP (3x3.15)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
2310пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSONP (3x3.15)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
10.2 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
998пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Тип транзистора:
N-канал
CSD18501Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18504KCS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18504Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1656пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50А
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канальный
CSD18509Q5BT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
195нКл
Входная емкость:
13900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18531Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
3840пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18532KCS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A TO220-3
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
53нКл @ 10В
Входная емкость:
4680пФ @ 30В
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18533Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18534Q5AT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара