- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
98-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD16413Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
11.7нКл
Входная емкость:
1780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17301Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
CSD17302Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17306Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
15.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17307Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 73A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17308Q3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
47А
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канальный
CSD17308Q3T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В VSON 8
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10.3 мОм @ 10А, 8В
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
5.1нКл @ 4.5В
Входная емкость:
700пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17309Q3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
CSD17310Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A/100А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSON8-HR
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21А/100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17312Q5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
5240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17313Q2-Q1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
CSD17313Q2Q1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17381F4T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
109 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.35нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17382F4T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.3A
Тип транзистора:
N-канал
CSD17483F4T
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.5 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
FemtoFET
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара