Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD16413Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 1780пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17301Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP
CSD17302Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17303Q5 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: SON-8
CSD17306Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В Заряд затвора: 15.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17307Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 73A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17308Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 47А Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канальный
CSD17308Q3T Транзистор полевой N-канальный 30В VSON 8 Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10.3 мОм @ 10А, 8В Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA Заряд затвора: 5.1нКл @ 4.5В Входная емкость: 700пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция CSD17310Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A/100А Производитель: Texas Instruments Корпус: VSON8-HR Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21А/100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор N-канальный 30В 5A автомобильного применения 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments
CSD17313Q2Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17318Q2 МОП-транзистор Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD17381F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.35нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17382F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.3A Тип транзистора: N-канал
CSD17483F4 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3
CSD17483F4T Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3
CSD17484F4T МОП-транзистор 30V N-Ch FemtoFET МОП-транзистор Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 30В Тип транзистора: N-канальный Особенности: FemtoFET
На странице: