- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD13202Q2
Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 76 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13381F4
Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13381F4T
Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD15380F3T
Полевой транзистор N-канальный 20В 0.5A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.5A
Тип транзистора:
N-канал
CSD16301Q2
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.55В
Заряд затвора:
2.8нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16322Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
9.7нКл
Входная емкость:
1365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16327Q3T
Полевой транзистор N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16340Q3
Транзистор полевой N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
9.2нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16401Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16403Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16404Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 81A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
CSD16406Q3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16407Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16409Q3
Транзистор полевой N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16411Q3
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 56 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
3.8нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара