Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

864
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (864)
STW34NM60ND STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80.4нКл
Входная емкость:
2785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW35N65M5 STW35N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом, 40 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW36N55M5 STW36N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 33A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
550В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW40NF20 STW40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW43NM60ND STW43NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35А 255Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
88 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW45N65M5 STW45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
3375пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW45NM60 STW45NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 45A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW52NK25Z STW52NK25Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 52A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW57N65M5 STW57N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 42A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-4L
Акция
STW60N65M5 STW60N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 46 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW69N65M5 STW69N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 58A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
143нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW6N120K3 STW6N120K3 Транзистор полевой N-канальный 1200В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
5V
Входная емкость:
1050pF
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF20 STW75NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF30AG STW75NF30AG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
164нКл
Входная емкость:
5930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW77N60M5
Производитель:
ST Microelectronics
STW78N65M5 STW78N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
69A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
450Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
203нКл
Входная емкость:
9000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW7N95K3 STW7N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 7.2А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1031пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW8NK80Z STW8NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.2А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STWA67N60M6
Производитель:
ST Microelectronics
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.60543 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"