Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STW38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW3N150
Транзистор полевой N-канальный 1500В 2.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 29.3нКл
Входная емкость: 939пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW40N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW40NF20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 40 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW42N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 79 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4650пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW43NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 35А 255Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 255Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 145нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW45N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 35A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 3375пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW45NM60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 45A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 134нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW52NK25Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 52A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW55NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 51A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 5800пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW57N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW57N65M5-4
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247-4L
STW5NK100Z
Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 1154пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW60N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 46 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW62N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 49 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 142нКл
Входная емкость: 6420пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW69N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 58A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 143нКл
Входная емкость: 6420пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW6N120K3
Транзистор полевой N-канальный 1200В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW6N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW75N60M6
Транзистор полевой N-канальный 600В 72A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 72А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
STW75NF20
Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3260пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.