Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (854)
STW24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1060пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STW25N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 19.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW25N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 22А 400Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 3680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW25NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
STW26NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 106нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW26NM60-H Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW26NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW28N65M2 Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STW28NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 21 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 158 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Through Hole
STW30N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 139 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 64нКл @ 10В Входная емкость: 2880пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STW30NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 148 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Through Hole
STW32NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 1973пФ Тип монтажа: Through Hole
STW33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STW34N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 28A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Through Hole
STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STW35N60DM2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 28А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STW35N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом, 40 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW36N55M5 Транзистор полевой N-канальный 550В 33A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 2950пФ Тип монтажа: Through Hole
STW36NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"