Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STU5N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.7 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STU5N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU5N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU60N3LH5
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 48 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
STU6N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В 5.5А 90Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 875пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU6N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU7N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.8нКл
Входная емкость: 271пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU7N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13.4нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU7NM60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 363пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU85N3LH5
Транзистор полевой N-канальный 30В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU8N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU8N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.5нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU9N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 780 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 320пФ
Тип монтажа: Through Hole
STV240N75F3
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 240 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerSO10
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 6800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STV300NH02L
Транзистор полевой N-канальный 24В 280A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerSO10
Напряжение исток-сток макс.: 24В
Ток стока макс.: 200A
Сопротивление открытого канала: 1 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 109нКл
Входная емкость: 7055пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STW10N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 630пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW10NK80Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2180пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NK100Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8,3А 230Вт, 1,38 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 1.38 Ом
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 162нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NM80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
STW12N120K5
Транзистор полевой N-канальный 1200В, 12А 3-Pin(3+Tab) TO-247
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 12А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.