Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (854)
STP60NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Through Hole
STP6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Through Hole
STP6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 875пФ Тип монтажа: Through Hole
STP6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole
STP75N3LLH6 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 75 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23.8нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole
STP75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3260пФ Тип монтажа: Through Hole
STP75NS04Z Полевой транзистор, N-канальный, 33 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1860пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7N52K3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6.2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 980 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 737пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.4нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 7.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1031пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7NK40ZFP Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.4 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7NM80 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80N6F6 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
STP80NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 182нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55 Транзистор полевой N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80А Сопротивление открытого канала: 0.008Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канальный
STP80NF55-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55-06FP Транзистор полевой N-канальный 55В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55L-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"