Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STP30N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 21А 0.139 Ом, 30Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 139 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2880пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP30NF20
Транзистор полевой N-канальный 200В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1597пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP310N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 180A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.8В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 12800пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP31N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 22A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 148 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP32N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А, 0.119 Ом, 35 Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 119 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 3320пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP33N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45.5нКл
Входная емкость: 1781пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP34N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 28 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 62.5нКл
Входная емкость: 2700пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP34NM60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 210Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 105 мОм
Мощность макс.: 210Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 2722пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP34NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 29A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 210Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP35N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 160Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 98 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 83нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP35NF10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40А 115Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 1550пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP36N55M5
Транзистор полевой N-канальный 550В 33A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 550В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 2670пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP36NF06
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP36NF06FP
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 18 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3LN62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 386пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 385пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 130пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK50Z
Транзистор полевой N-канальный 500В 2,3А 3,3Ом 45Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 3.3 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±30В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.