Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (855)
STP14NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.5А 40Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP150N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
8115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 33А 1.6 мОм
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP150NF55 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 14 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15NK50Z Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
2260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP160N75F3 Транзистор полевой N-канальный 75В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
6750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP16NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP18N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
550В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
192 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP18N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
791пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP18NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
STP19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP200NF03 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1345пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STP20N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 17.5А 250Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.70463 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"