Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STL40N75LF3
Транзистор полевой N-канальный 75В 40A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 62Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL42P6LLF6
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 42A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFLAT 5x6
STL45N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFLAT 8x8
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 86 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 82нКл
Входная емкость: 3470пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL4N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 10.5нКл
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL57N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.3A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFLAT 8x8
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL60N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 72Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL66DN3LLH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78.5A автомобильного применения 8-Pin Power Flat лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFlat[тм] (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 78.5A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 72Вт
Тип транзистора: N-канальный
STL6N2VH5
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFLAT 2x2
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6А
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канальный
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL70N4LLF5
Транзистор полевой 40В 70A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL80N3LLH6
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFLAT 5x6
STL80N75F6
Транзистор полевой N-канальный 75В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 7120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL8N10LF3
Транзистор полевой N-канальный 100В 20A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerFlat[тм] (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 20A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4А, 10В
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA
Заряд затвора: 20.5нКл @ 10В
Входная емкость: 970пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
STL90N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 3550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STN1NF20
Полевой транзистор N-канальный 200В 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 5.7нКл
Входная емкость: 90пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STN3NF06
Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STN4NF06L
Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STP100N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 4369пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP10LN80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.