Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STF6N62K3
Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 5.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
STF6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 5.4A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом @ 2.8А, 10В
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA
Заряд затвора: 35нКл @ 10В
Входная емкость: 880пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
STF6N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF6NK70Z
Транзистор полевой N-канальный 700В 5А 30Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 930пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF7N52DK3
Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 525В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF7N52K3
Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
STF7N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.8нКл
Входная емкость: 271пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом @ 2.5А, 10В
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 9нКл @ 10В
Входная емкость: 270пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF7N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13.4нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 7.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом @ 3.6А, 10В
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 33нКл @ 10В
Входная емкость: 1031пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF7N95K3
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 7.2 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
STF7NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 4.7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 363пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF80N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 40A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 15нКл @ 10В
Входная емкость: 690пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF8N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.5нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF8NK100Z
Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 6.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 1.85 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 102нКл
Входная емкость: 2180пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF8NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 790 мОм
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 364пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 780 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 10нКл @ 10В
Входная емкость: 320пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF9NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 745 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17.4нКл
Входная емкость: 452пФ
Тип монтажа: Through Hole
STFU10N80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 30Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 9А
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канальный
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.