Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STF38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF3N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 385пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF3N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 130пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF3NK100Z
Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 601пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF40N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 88 мОм @ 17А, 10В
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 57нКл @ 10В
Входная емкость: 2500пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF40N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 34 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
STF40NF06
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 920пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF40NF20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF45N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 35A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 3375пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF4N62K3
Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 3.8 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF4N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 3A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 10.5нКл
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF57N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 42A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF5N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 1.85А, 10В
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 4.5нКл @ 10В
Входная емкость: 165пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF5N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF5N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 4А 25Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF5N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 3.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF5NK100Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 1154пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF6N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8нКл
Входная емкость: 232пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.