Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STD4NK50Z-1
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD4NK50ZT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK60Z-1
Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD4NK80Z-1
Транзистор полевой N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22.5нКл
Входная емкость: 575пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD5N20LT4
Транзистор полевой N-канальный 200В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 242пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 211пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5N62K3
Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 4.2 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 3.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5NK40Z-1
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 305пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD5NK60ZT4
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD5NM50T4
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7.5А
Тип транзистора: N-канальный
STD5NM60-1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD5NM60T4
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD60N3LH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 8.8нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD60N55F3
Транзистор полевой N-канальный 55В 65A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD60NF55LT4
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 60 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.