Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STD10PF06T4
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD11N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD11NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD120N4F6
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 3850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD120N4LF6
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 430 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 10нКл @ 5В
Входная емкость: 350пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06T4
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD13N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 580пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD13NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 109Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 24.5нКл
Входная емкость: 845пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD14NM50NAG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD150N3LLH6
Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 2.8 мОм
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD155N3H6
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
STD15N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.