Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STB70NF3LLT4
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 1650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB75NF20
Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB75NF75LT4
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80N20M5
Транзистор полевой N-канальный 200В 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 61A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 104нКл
Входная емкость: 4329пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80NF10T4
Транзистор полевой N-канальный 100В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 182нКл
Входная емкость: 5500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80NF55-06T4
Транзистор полевой N-канальный 55В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 189нКл
Входная емкость: 4400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80NF55-08T4
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 155нКл
Входная емкость: 3850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80NF55L-06T4
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 136нКл
Входная емкость: 4850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80PF55T4
Полевой транзистор, P-канальный, 55 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 258нКл
Входная емкость: 5500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB85NF55T4
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB8N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB9NK50ZT4
Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB9NK60ZT4
Транзистор полевой N-канальный 600В 7А 125Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 53нКл
Входная емкость: 1110пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD100N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 4369пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13.5нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10NM50N
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 7 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 630 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10P6F6
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.