Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STB16N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
STB16NF06LT4
Транзистор полевой N-канальный 60В 16A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 345пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB185N55F3
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
STB18N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21.5нКл
Входная емкость: 791пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18NF25
Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29.5нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM60N
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 285 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 290 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM80
Транзистор полевой N-канальный 800В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 295 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 2070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB19NF20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом 90Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB200NF03T4
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 120 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
STB20N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 17.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 17.5A
Сопротивление открытого канала: 330 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB20NK50Z
Транзистор полевой N-канальный 500В 17А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
STB21N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB21N90K5
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 18.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 18.5A
Сопротивление открытого канала: 299 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1645пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB21NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB22NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 16A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB23N80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 16А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
STB24NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.