Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDB3502 Транзистор полевой N-канальный 75В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 815пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3632 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB44N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 44A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 307Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB52N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 52A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB7030BL Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263 (D2Pak)

Сообщить о поступлении

FDB8030L Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8441 Транзистор полевой N-канальный 40В 80А 0.0025 Ом, 300Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 185нКл @ 10В Входная емкость: 9310пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86135 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 265нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PSOF Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 169A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 90нКл @ 10В Входная емкость: 5805пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDBL86361-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) TO-LL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 300А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

FDBL9401-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) H-PSOF лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 300А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении