Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDB047N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 15265пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB050AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB070AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 175Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 7350пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB075N15A-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB082N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 117A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 117A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB110N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 92A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB120N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5605пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB13AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB14N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB2532 Транзистор полевой N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 5870пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB2552 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB2572 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 29 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB2710 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7280пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB28N30TM Транзистор полевой N-канальный 300В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 129 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль