Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

Акция

FCPF9N60NT Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA16N50_F109 Транзистор полевой N-канальный 500В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 239Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 388Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 4150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA50N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 48 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 6460пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDA59N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 392Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 4020пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA69N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PN Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 480Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB0190N807L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 270А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB024N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 395Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 226нКл Входная емкость: 14885пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB031N08 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 15160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 6400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении