Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
SFT1345-TL-H Полевой транзистор, P-канальный Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SI3443DV Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
SI4435DY Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30V Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 mOhm Мощность макс.: 1W Тип транзистора: P-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3V Заряд затвора: 24nC Входная емкость: 1604pF Тип монтажа: Surface Mount
SMP3003-DL-1E Полевой транзистор, P-канальный, 75 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 13400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SSN1N45BTA Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 500 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4.25 Ом Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole
SVD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
WPH4003-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1700 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 1700В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: