Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

NVTR0202PLT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 0.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR4503NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05L Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 80нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LE Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 131Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

RFP70N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70А 60В, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SBSS84LT1G Полевой транзистор P-канальный 50В 0.13A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SFP9530 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SFS9620 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3 А, 28 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

Акция

SFS9630 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении