Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1204)

FCP125N65S3R0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP13N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 258 мОм Мощность макс.: 116Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39.5нКл Входная емкость: 1765пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP16N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP4N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP9N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 88.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A TO220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF11N60T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF16N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 37.9Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF16N60NT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF190N60E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.6A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 3175пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF22N60NT Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF400N80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF7N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF850N80Z Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 28.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1315пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCPF9N60NT Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении