Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

NTR5198NL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR5198NLT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4001NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 270мА, 0.33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 270мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 33пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.37A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 329мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4173PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.1нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4409NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 700мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4821NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4824NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4932NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8

Сообщить о поступлении

NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTZS3151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 860мА Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 170мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 458пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVATS5A114PLZT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 60A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) ATPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVBLS001N06C Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 422А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

NVD2955T4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении