Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

NTNUS3171PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTP2955G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 196 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTP5860NG MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB

Сообщить о поступлении

NTR0202PLT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 400мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.18нКл Входная емкость: 70пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02LT3G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR2101PT1G Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3.7А Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1173пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3A30PZT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1651пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3C21NZT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 3.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 500мА, 0.83Вт, 1 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8А 0.21Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4170NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2А Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 4.76нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4171PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4503NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR5103NT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 0.26A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.26A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR5105PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -211мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1мА Тип транзистора: P-канал

Сообщить о поступлении