Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
NTMFS4852NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 71.3нКл Входная емкость: 4970пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4927NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 7.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 920мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 913пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4955NT1G Полевой транзистор N-канальный 30В 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL
NTMFS4C302NT1G Полевой транзистор N-канальный 30В 41A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 41A Тип транзистора: N-канал
NTMFS4H01NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 334А SO8FL Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 334А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTMFS5844NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.2А Тип транзистора: N-канальный
NTMFS5C430NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 38A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 38А Тип транзистора: N-канальный
NTMFS5C604NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 289 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5C628NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 28A Тип транзистора: N-канал
NTMFS5C646NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 2164пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5C670NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 68A Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 68А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5H600NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35А Тип транзистора: N-канальный
NTMS10P02R2G Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4177PR2G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4801NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 2201пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4816NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.95A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 790мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMS7N03R2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8
NTNS3A65PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 281мА Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 155мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 44пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTNS3A91PZT5G Транзистор полевой P-канальный 20В 223мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-XLLGA (0.62x0.62) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 223мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 121мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 41пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: