Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 3.3А, 4.5В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ @ 100 µA Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 850пФ @ 12В Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Акция NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTJS4405NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
Сообщить о поступлении
NTK3043NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 210мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 210мА Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTK3134NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 750мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTK3139PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 780 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 660мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTLJF3117PT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 531пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTLJF4156NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 427пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTLJS4114NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTLUS3A90PZTBG Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-UDFN (1.6x1.6)
Сообщить о поступлении
NTMFS4823NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 795пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Новинка NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
NTMFS4841NHT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL
Сообщить о поступлении
NTMFS4845NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль