Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

NTE4151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 760мА Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 313мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTE4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.82нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.3нКл Входная емкость: 492пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF3055-100T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF5P03T3G Транзистор полевой P-канальный 30В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1901пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3441T1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.65A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3443T1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3446T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3455T1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 630мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS4141NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHL020N120SC1 МОП-транзистор 20MW 1200V Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 103А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTHS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении