Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

NTD25P03LT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 25А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD2955-1G Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-094T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1.43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4809NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4858NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 19.2нКл Входная емкость: 1563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4969NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 41 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTD5802NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5025пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5862NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 98 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 98A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5867NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1024пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6416ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A(Tc) Сопротивление открытого канала: 74 мОм @ 19А, 10В Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTDV20P06LT4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении