Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
NDUL03N150CG Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(L) Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Through Hole
NID9N05ACLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 52В Ток стока макс.: 9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 90 мОм @ 9А, 12В Мощность макс.: 1.74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В Входная емкость: 250пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
NTA4001NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 238мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 238мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTA4151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 760мА Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 301мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTA4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT416 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.82нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTA7002NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75/SOT-416 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 154мА Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27.5A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTB35N15T4G Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06LT4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NTB5605PT4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 18.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NTB60N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 60 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NTD110N02RT4G Транзистор полевой N-канальный 24В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 3440пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD14N03RT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 1.04Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 115пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD18N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N03L27T4G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.9нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 1.36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 1.88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1015пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD20P06LT4G Транзистор полевой P-канальный 60В 15.5А 65Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NTD24N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: