Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1204)

FCH041N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 76A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 595Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 360нКл Входная емкость: 14365пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH060N80-F155 Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 56А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH067N65S3-F155 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 44А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH072N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 52A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 481Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 215нКл Входная емкость: 8660пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 139нКл @ 10В Входная емкость: 5950пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH25N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 126 мОм Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3352пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCH35N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 35A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 181нКл @ 10В Входная емкость: 6640пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60NF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 45.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 45.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 368Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 157нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FCI25N60N_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25А Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

FCMT299N60 MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power88 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A(Ta) Сопротивление открытого канала: 299 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 1948пФ @ 380В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCMT360N65S3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10A 4-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FCP067N65S3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 44А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP104N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 82нКл @ 10В Входная емкость: 4165пФ @ 380В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 145нКл @ 10В Входная емкость: 6130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP11N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP11N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35.6нКл Входная емкость: 1505пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении