Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

MTD3055V Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTD3055VL Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

MTP2P50EG Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1183пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

MTP3055VL Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

MVSF2N02ELT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 85 мОм @ 3.6А, 4.5В Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 4В Входная емкость: 150пФ @ 5В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NCV8403BDTRKG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 42В 15А 53мОм со встроенной защитой Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 42В Ток стока макс.: 15А Сопротивление открытого канала: 53мОм Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

NCV8440ASTT1G Транзистор полевой N-канальный 59В 2.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 59В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDB5060L Транзистор полевой N-канальный 60В 26A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDB6060L Транзистор полевой N-канальный 60В 48A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDD04N60ZT4G Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDDP010N25AZT4H Полевой транзистор N-канальный 250В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDF06N60ZG Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1107пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDFPD1N150CG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 100MA TO220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В (1.5kВ) Ток стока макс.: 100мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 150 Ом @ 50mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 4.2нКл @ 10В Входная емкость: 80пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6020P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6060 Транзистор полевой N-канальный 60В 48A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6060L Транзистор полевой N-канальный 60В 48A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP7060 Транзистор полевой N-канальный 60В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDS0605 Транзистор полевой P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 79пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 79пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (SUPERSOT-23) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 162пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении