Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
HUF76609D3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 425пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
HUF76629D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
HUFA75645S3S Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
Сообщить о поступлении
HUFA76429D3ST_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
IRFS450B Транзистор полевой N-канальный 500В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 390 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 113нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
Акция IRFS630B Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
Сообщить о поступлении
Акция IRFS644A Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
Сообщить о поступлении
IRL640A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1705пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
MCH3475-TL-E Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMD3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 88пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
MCH3478-TL-W Полевой транзистор N-канальный 30В 2A 3-Pin MCPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
MGSF1N02LT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 750мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Сообщить о поступлении
MGSF1N03LT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.6 А, 0.69Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Сообщить о поступлении
MGSF2N02ELT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Сообщить о поступлении
Акция MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
MMBF170 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 416 шт
Цена от:
от 2,39₽
MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 416 шт
Цена от:
от 2,39₽
MMBF2201NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль