Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75344P3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345G3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75542P3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB

Сообщить о поступлении

HUF75545P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75545S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75631S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263 (D2Pak)

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75645P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75652G3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 515Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 475нКл Входная емкость: 7585пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF76407D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 92 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF76429S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF76439S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении