Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQT4N25TF Транзистор полевой N-канальный 250В 0.83A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT223-4 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT5P10TF Транзистор полевой P-канальный 100В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10TF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU10N20CTU Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU11P06TU Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU13N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU13N10LTU Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate

Сообщить о поступлении

FQU1N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU20N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU3N50CTU Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N40TU Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75332P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 60A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 145Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении