Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7P20 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF85N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 53A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.26A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80CYDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N25CT Транзистор полевой N-канальный 250В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 1030пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N50CF Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N90CT Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9P25 Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT13N06TF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT1N60CTF_WS Транзистор полевой N-канальный 600В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT1N80TF_WS Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 20 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT2P25TF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 0.55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT3P20TF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.67A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 670мА Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT4N20LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении