Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

Акция

FQPF22P10T Транзистор полевой P-канальный 100В 13А 45Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Мощность макс.: 45 Вт Тип транзистора: P-канал

Сообщить о поступлении

FQPF27P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF2N80YDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF33N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF33N10L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 47Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N40 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N90 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF630 Транзистор полевой N-канальный 200В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF6N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1245пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 693 шт

Цена от:

от 22,32₽